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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improved purity of long-wavelength inassb epilayers grown by melt epitaxy in fused silica boats 期刊论文 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 85-90 作者:  Gao, YZ;  Kan, H;  Gao, FS;  Gong, XY;  Yamaguchi, T 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Purification  X-ray diffraction  Melt epitaxy  Narrow gap materials  Semiconducting iii-v materials   Improved purity of long-wavelength InAsSb epilayers grown by melt epitaxy in fused silica boats 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 85-90 Gao YZ; Kan H; Gao FS; Gong XY; Yamaguchi T 收藏  |  浏览/下载：85/4  |  提交时间：2010/08/12 purification  X-ray diffraction  melt epitaxy  narrow gap materials  semiconducting III-V materials  CUTOFF WAVELENGTH  SINGLE-CRYSTALS  MU-M  INFRARED PHOTODETECTORS  GAAS