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半导体研究所 [221]
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期刊论文 [216]
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发表日期
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First-principles study of h-2 adsorption and dissociation on zr(0001)
期刊论文
Journal of nuclear materials, 2011, 卷号: 418, 期号: 1-3, 页码: 159-164
作者:
Zhang, Peng
;
Wang, Shuang-Xi
;
Zhao, Jian
;
He, Chao-Hui
;
Zhang, Ping
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Elastic, electronic, and optical properties of two-dimensional graphyne sheet
期刊论文
Journal of physical chemistry c, 2011, 卷号: 115, 期号: 42, 页码: 20466-20470
作者:
Kang, Jun
;
Li, Jingbo
;
Wu, Fengmin
;
Li, Shu-Shen
;
Xia, Jian-Bai
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Interface effect on the electronic structure and optical properties of inas/gasb superlattices
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 42, 页码: 9
作者:
Lang, Xiao-Li
;
Xia, Jian-Bai
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
First-principles study of magnetic properties in mo-doped graphene
期刊论文
Journal of physics-condensed matter, 2011, 卷号: 23, 期号: 34, 页码: 6
作者:
Kang, Jun
;
Deng, Hui-Xiong
;
Li, Shu-Shen
;
Li, Jingbo
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Formation of shallow acceptors in zno doped by lithium with the addition of nitrogen
期刊论文
Journal of physics and chemistry of solids, 2011, 卷号: 72, 期号: 6, 页码: 725-729
作者:
Gai, Yanqin
;
Tang, Gang
;
Li, Jingbo
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2019/05/12
Semiconductors
Ab initio calculations
Defects
Electronic structure
Electronic band structure of a type-ii 'w' quantum well calculated by an eight-band k center dot p model
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 6
作者:
Yu Xiu
;
Gu Yong-Xian
;
Wang Qing
;
Wei Xin
;
Chen Liang-Hui
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Type-ii 'w' quantum well
Burt-foreman hamiltonian
Finite element methods
Spin splitting modulated by uniaxial stress in inas nanowires
期刊论文
Journal of physics-condensed matter, 2011, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 7
作者:
Liu, Genhua
;
Chen, Yonghai
;
Jia, Caihong
;
Hao, Guo-Dong
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Spin splitting modulated by uniaxial stress in InAs nanowires
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2011, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: art. no. 015801
Liu GH (Liu Genhua)
;
Chen YH (Chen Yonghai)
;
Jia CH (Jia Caihong)
;
Hao GD (Hao Guo-Dong)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/12/28
NARROW-GAP SEMICONDUCTOR
INVERSION-ASYMMETRY
QUANTUM DOTS
BAND
STATES
Interface effect on the electronic structure and optical properties of InAs/GaSb superlattices
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 42, 页码: 425103
Lang, XL
;
Xia, JB
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2012/01/06
GASB SUPER-LATTICE
SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
DEFORMATION POTENTIALS
II SUPERLATTICES
BAND PARAMETERS
DETECTORS
APPROXIMATION
TRANSITIONS
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
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浏览/下载:59/6
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
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