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半导体研究所 [17]
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期刊论文 [17]
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Investigation of Collisional Cross Sections of 40S State Using Ultracold Caesium Rydberg Gas
期刊论文
journal of the physical society of japan, 2012, 卷号: 81, 期号: 7, 页码: 74302
Feng, ZG
;
Zhao, JM
;
Jia, ST
;
Zheng, WH
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浏览/下载：12/0
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提交时间：2013/03/17
Multiple scattering theory of quasiparticles on a topological insulator surface
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 23, 页码: 3
作者:
Fu, Zhen-Guo
;
Zhang, Ping
;
Wang, Zhigang
;
Li, Shu-Shen
收藏
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浏览/下载：17/0
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提交时间：2019/05/12
Deep energy levels formed by se implantation in si
期刊论文
Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 2
作者:
Gao Li-Peng
;
Han Pei-De
收藏
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浏览/下载：23/0
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提交时间：2019/05/12
Deep Energy Levels Formed by Se Implantation in Si
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: article no.36108
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载：38/2
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提交时间：2011/07/05
SILICON
PHOTODETECTOR
First principles study of electronic properties of gallium nitride nanowires grown along different crystal directions
期刊论文
Computational materials science, 2010, 卷号: 50, 期号: 2, 页码: 344-348
作者:
Wang, Zhiguo
;
Zhang, Chunlai
;
Li, Jingbo
;
Gao, Fei
;
Weber, William J.
收藏
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浏览/下载：23/0
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提交时间：2019/05/12
Gan nanowires
Electronic properties
First principles
First principles study of electronic properties of gallium nitride nanowires grown along different crystal directions
期刊论文
computational materials science, 2010, 卷号: 50, 期号: 2, 页码: 344-348
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载：52/11
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提交时间：2011/07/05
GaN nanowires
Electronic properties
First principles
GAN NANOWIRES
AB-INITIO
EMISSION PROPERTIES
SEMICONDUCTORS
ARRAYS
Fabrication of ingaalas mqw buried heterostructure lasers by narrow stripe selective movpe
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 361-365
作者:
Feng, W.
;
Pan, J. Q.
;
Wang, L. F.
;
Bian, J.
;
Wang, B. J.
收藏
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浏览/下载：13/0
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提交时间：2019/05/12
Fabrication of InGaAlAs MQW buried heterostructure lasers by narrow stripe selective MOVPE
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 361-365
作者:
Pan JQ
收藏
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浏览/下载：25/0
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提交时间：2010/03/29
BANDGAP ENERGY CONTROL
Characteristics of oxide-free ingaalas layers grown by narrow stripe selective movpe
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1083-1086
作者:
Feng, W
;
Wang, W
;
Zhu, HL
;
Zhao, LJ
;
Hou, LP
收藏
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浏览/下载：12/0
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提交时间：2019/05/12
Characteristics of oxide-free InGaAlAs layers grown by narrow stripe selective MOVPE
期刊论文
semiconductor science and technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1083-1086
作者:
Pan JQ
收藏
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浏览/下载：94/37
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提交时间：2010/03/17
VAPOR-PHASE EPITAXY
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