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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A surface kinetics model for the growth of si1-xgex by uhv/cvd using sih4/ceh4 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249 作者:  Yu, Z;  Li, DZ;  Cheng, BW;  Huang, CJ;  Lei, ZL 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Sige/si  Epitaxial growth  Surface reaction kinetics  Uhv/cvd system   Effects of rapid thermal annealing on self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots superlattice 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 791-794 Zhuang QD; Li JM; Wang XX; Zeng YP; Wang YT; Wang BQ; Pan L; Wu J; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 InGaAs/GaAs  quantum dots  superlattice  annealing  X-ray  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INFRARED PHOTODETECTORS  STRAIN RELAXATION  LUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  DEPENDENCE  ABSORPTION  THRESHOLD  OPERATION  ISLANDS   A surface kinetics model for the growth of Si1-xGex by UHV/CVD using SiH4/CeH4 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249 Yu Z; Li DZ; Cheng BW; Huang CJ; Lei ZL; Yu JZ; Wang QM; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 SiGe/Si  epitaxial growth  surface reaction kinetics  UHV/CVD system  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  ATOMIC-HYDROGEN  ADSORPTION  SI(100)  SI2H6  SIH4  MECHANISMS  DESORPTION  PHASE  FILMS   Enhanced hydrogen desorption from si sites during low-temperature si1-xgex growth by disilane and solid-ge molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 9, 页码: 6920-6922 作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Sun, DZ 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Enhanced hydrogen desorption from Si sites during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 9, 页码: 6920-6922 Liu JP; Huang DD; Li JP; Lin YX; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 GAS-SOURCE MBE  KINETICS  ADSORPTION  SILICON  SI(100)  MECHANISM  SI2H6  PHASE  FILMS   Optical properties of nanocrystalline silicon embedded in SiO2 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 1999, 卷号: 42, 期号: 9, 页码: 995-1002 Ma ZX; Liao XB; Kong GL; Chu JH 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 nanocrystalline silicon  quantum confinement effect  Raman spectra  absorption spectra  photoluminescence  RAMAN-SPECTRA  ABSORPTION  FILMS  LUMINESCENCE  PHOTOLUMINESCENCE  MECHANISM  POROUS SILICON   Photoluminescence enhancement of porous silicon by organic cyano compounds 期刊论文 Journal of physical chemistry b, 1998, 卷号: 102, 期号: 41, 页码: 7978-7982 作者:  Yin, F;  Xiao, XR;  Li, XP;  Zhang, ZZ;  Zhang, BW 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Low-temperature growth properties of si1-xgex by disilane and solid-ge molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540 作者:  Liu, JP;  Kong, MY;  Li, JP;  Liu, XF;  Huang, DD 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Si1-xgex alloys  Low temperature epitaxy  Desorption  Adsorption  Surface morphology  Growth kinetics   Quantum-confined Stark effects of exciton states in V-shaped GaAs/AlxGa1-xAs quantum wires 期刊论文 physical review b, 1998, 卷号: 58, 期号: 4, 页码: 2031-2037 Chang K; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 WELL WIRES  DIMENSIONAL EXCITONS  OPTICAL-PROPERTIES  THRESHOLD CURRENT  ELECTRIC-FIELD  BINDING-ENERGY  DEPENDENCE  ABSORPTION  SPECTRA   Low-temperature growth properties of Si1-xGex by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540 Liu JP; Kong MY; Li JP; Liu XF; Huang DD; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 Si1-xGex alloys  low temperature epitaxy  desorption  adsorption  surface morphology  growth kinetics  HYDROGEN DESORPTION  SI(100)  SI  SURFACTANT  GERMANIUM  MECHANISM  KINETICS  ALLOYS  SI2H6  GAS-SOURCE MBE