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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 射频磁控溅射功率对氧化钒薄膜相变特性的影响 期刊论文 天津大学学报, 2011, 卷号: 44, 期号: 10, 页码: 847-851 作者:  陈涛;  梁继然 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/07/17 SiN薄膜三阶非线性增强的研究 期刊论文 半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 5, 页码: 418-422 宋江婷; 郭亨群; 王加贤; 吴志军; 王国立; 沈海波; 徐骏; 陈坤基; 王启明 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 CeO_2/Si薄膜PL谱的“紫移” 期刊论文 科学通报, 2001, 卷号: 46, 期号: 18, 页码: 1511 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091400.7, 公开日期: 2011-08-30 孙晓明; 郑厚植; 章昊 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2011/08/30