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半导体研究所 [30]
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专题：半导体研究所
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单层二硒化钼及氮化铝缺陷的光学性质研究
学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
杨倩
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浏览/下载：27/0
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提交时间：2020/09/22
基于显微磁圆二色谱的过渡金属二硫族化合物磁性质研究
学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
吴元军
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浏览/下载：43/0
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提交时间：2018/05/31
自旋电子学
过渡金属二硫族化合物
谷塞曼劈裂
磁圆二色性
单层
GaAs基长波长量子结构及InAs量子点红外探测器研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘珂
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浏览/下载：27/0
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提交时间：2016/06/01
量子点红外探测器
亚单层生长
光荧光
分子束外延
半导体纳米材料掺杂和应力调控的第一性原理研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
陈卉
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浏览/下载：159/0
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提交时间：2016/05/31
纳米半导体材料
本征缺陷
掺杂原子
电子性质
磁性
应变
第一性原理计算
单层和多层石墨烯的拉曼光谱学研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
厉巧巧
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浏览/下载：81/0
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提交时间：2014/12/25
硅基太阳能电池前电极材料的制备及相关性能研究
学位论文
博士后, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
王超
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浏览/下载：82/0
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提交时间：2011/12/28
太阳能电池
前电极
ITO
复合膜
立体耦合光子晶体薄板微腔的高Q值特性研究
期刊论文
物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8548-8553
作者:
刘安金
;
江斌
;
陈微
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浏览/下载：25/0
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提交时间：2011/08/16
单光子源低密度长波长InAs／GaAs量子点的制备
期刊论文
功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 915-918
作者:
牛智川
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浏览/下载：24/0
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提交时间：2010/11/23
一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
金鹏
;
徐波
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浏览/下载：109/4
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提交时间：2009/06/11
InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究
期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 5, 页码: 2958-2961
孙征
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徐仲英
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阮学忠
;
姬扬
;
孙宝权
;
倪海桥
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浏览/下载：8/0
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提交时间：2010/11/23
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