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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：西安理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Size-dependent yield function for single crystals with a consideration of defect effects 期刊论文 2019, 卷号: 230, 页码: 4259-4271 作者:  Pan, Bo;  Tanaka, Hiro;  Ling, Chao;  Shibutani, Yoji;  Li, Shufeng 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/20 Temperature and DC Bias Dependences of Dielectric Behavior of Different Oriented 0.23PIN-0.52PMN-0.25PT Single Crystals 期刊论文 2018, 卷号: 47, 页码: 6282-6288 作者:  Wan, Yuhui;  Li, Zhenrong;  Ma, Ming;  Fan, Shiji;  Xu, Zhuo 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/20 DC bias  PIN-PMN-PT single crystals  phase transition  dielectric properties   Effects of Control Parameters on Oxygen Distribution in Czochralski Crystal Growth Process 会议论文 2018 CHINESE AUTOMATION CONGRESS (CAC), 2018-01-01 作者:  Ren, Jun-Chao;  Liu, Ding;  Wan, Yin 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/20 Quadrupole magnetic field  Czochralski silicon single crystals  Numerical simulation  Crystal-melt interface  Oxygen concentration distribution   Temperature and DC bias dependence of the phase transition behavior of [011]- and [001]-oriented PIN-PMN-PT single crystals with MPB composition 期刊论文 2018, 卷号: 33, 页码: 4053-4061 作者:  Wan, Yuhui;  Li, Zhenrong;  Ma, Ming;  Fan, Shiji;  Xu, Zhuo 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/20 Optimization of control parameters in microdefect Czochralski monocrystalline silicon growth 会议论文 2018 CHINESE AUTOMATION CONGRESS (CAC), 2018-01-01 作者:  Zhang, Jing;  Wan, Yin;  Liu, Ding;  Ren, Junchao 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/20 Czochralski silicon single crystals  Crystal-melt interface  V/G ratio optimization   Study of Thermal Source and Thermal Partition Models by ELID Grinding on SiC Single Crystals 会议论文 ICMS2010: PROCEEDINGS OF THE THIRD INTERNATIONAL CONFERENCE ON MODELLING AND SIMULATION ICMS2010, VOL 3: MODELLING AND SIMULATION IN INDUSTRIAL APPLICATION, 2010-01-01 作者:  Xiao, Qiang;  Li, Yan 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/20 SiC single crystals  thermal source  thermal partition