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科研机构
西安理工大学 [2]
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会议论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2016 [1]
2000 [1]
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质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响
期刊论文
2016, 卷号: 44, 页码: 1445-1449
作者:
谷文萍
;
张林
;
杨鑫
;
全思
;
徐小波
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提交时间:2019/12/20
AlGaN/GaNHEMT 质子辐照 辐射感生受主缺陷 辐射加固 AlGaN/GaN HEMT proton-irradiation irradiation induced acceptor defects radiation hardness
Soft recovery characteristics of punch-Through power diodes by proton irradiation
会议论文
3rd International Power Electronics and Motion Control Conference, IPEMC 2000, Beijing, China, 2000-08-15
作者:
Zhang, Changli
;
Waldmeyer, Juerg
;
Roggwiller, Peter
;
Chen, Zhiming
;
Lu, Yapeng
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提交时间:2019/12/25
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