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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：武汉轻工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improved Interfacial and Electrical Properties of Ge-Based Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor With LaTaON Passivation Layer 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2014, 卷号: 61, 期号: 11, 页码: 3608-3612 作者:  Ji, Feng;  Xu, Jing-Ping;  Huang, Yong;  Liu, Lu;  Lai, P. T. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/27 Ge metal-oxide-semiconductor (Ge MOS)  high-k dielectric  interface properties  LaTaON  passivation layer   Influence of domain on grain size effects of the dielectric properties of BaTiO3 nanoceramics and nanoparticles 期刊论文 Physica B: Condensed Matter, 2013, 卷号: 409, 期号: 1, 页码: 83-86 作者:  Fang, Chao*;  Chen, LiangYan;  Zhou, DongXiang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/27 Nano  Ferroelectric domains  Phase transistions  BaTiO3   Improved Interfacial Properties of Ge MOS Capacitor With High-k Dielectric by Using TaON/GeON Dual Interlayer 期刊论文 Electron Device Letters, IEEE, 2011, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 122-124 作者:  Ji, F.;  Xu, J.P.;  Lai, P.T.;  Li, C.X.;  Liu, J.G. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/27 Dual interlayer  Ge MOS  high k  TaON/GeON   Improved interface properties of Ge metal-oxide-semiconductor capacitor with TaTiO gate dielectric by using in situ TaON passivation interlayer 期刊论文 Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 18, 页码: 182901-182901-3 作者:  Ji, F.;  Xu, J.P.;  Liu, J.G.;  Li, C.X.;  Lai, P.T. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/27 Electrorheological fluids based on glycerol-activated titania gel particles and silicone oil with high yield strength 期刊论文 Journal of Colloid and Interface Science, 2003, 卷号: 257, 期号: 2, 页码: 228-236 作者:  Yi, JB;  Zhao, XP* 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/27 Dielectric properties  Electrorheological fluids  Glycerol  Temperature dependence  Yield stress