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河北大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
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2015 [1]
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4.0-nm-thick amorphous Nb-Ni film as a conducting diffusion barrier layer for integrating ferroelectric capacitor on Si
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 645, 页码: 491-495
作者:
Dai, X. H.[1]
;
Guo, J. X.[2]
;
Zhang, L.[3]
;
Jia, D. M.[4]
;
Qi, C. G.[5]
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提交时间:2019/12/21
Conducting diffusion barrier
FRAM
Intermetallics
Nb-Ni
PZT capacitors
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