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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electric field modulated electronic property in InAs/GaSb quantum well 期刊论文 2017 32ND YOUTH ACADEMIC ANNUAL CONFERENCE OF CHINESE ASSOCIATION OF AUTOMATION (YAC), 2017, 页码: 587-590 作者:  Ma,Yun;  Yang,Huan;  Wu,Keyue;  Wei,Xiangfei 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/04/22 InAs/GaSb  quantum  well  External  electric  field  Form-factor  Exchange  self-energy   Electric field dependence of hybridized gap in InAs/GaSb quantum well system 期刊论文 Solid State Communications, 2017, 卷号: Vol.251, 页码: 1-4 作者:  Wang,Weiyang;  Wei,Xiangfei;  Ruan,Jiufu 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 HOLE HYBRIDIZATION  TRANSITION  HETEROSTRUCTURES   Two-colour mid-infrared absorption in InAs/GaSb type II and broken-gap quantum wells under gated electric field 期刊论文 Solid State Communications, 2012, 卷号: Vol.152 No.18, 页码: 1753-1756 作者:  Wei,XF;  Li,LL;  Liu,LW;  Xu,W 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/22 SEMICONDUCTOR  TRANSITION   Two-colour mid-infrared optical absorption under electric field in an InAs/GaSb-based type II and broken-gap quantum well 期刊论文 MECHANICAL AND ELECTRONICS ENGINEERING III, PTS 1-5, 2012, 卷号: Vol.130-134, 页码: 4122 作者:  Song,J.;  Yuan,H.;  Wei,X. F.;  Xie,C. G.;  Ruan,J. F. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/04/24 two-colour  mid-infrared  absorption  electric  field  photodetector   Structure and optical anisotropy of vertically correlated submonolayer InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 Applied Physics Letters, 2003, 卷号: Vol.82 No.22, 页码: 3859-3861 作者:  Liu,Yanmei;  Sadowski,Janusz;  Yang,Kuntang;  Xu,Zhangcheng;  Kanjilal,Aloke 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/24 indium  compounds  gallium  arsenide  III-V  semiconductors  semiconductor  quantum  dots  transmission  electron  microscopy  X-ray  diffraction  photoluminescence