QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：南开大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Materials Design on the Origin of Gap States in a High-κ/GaAs Interface 期刊论文 Engineering, 2015, 卷号: 第1卷, 页码: 372-377 作者:  Weichao Wang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/02/27 high-mobility device  high-κ/Ⅲ-Ⅴ interface  interfacial gap states  first-principle calculations   Materials Design on the Origin of Gap States in a High-κ/GaAs Interface 期刊论文 Engineering, 2015, 卷号: Vol.1 No.3, 页码: 372-377 作者:  Weichao Wang;  Cheng Gong;  Ka Xiong;  K.C. Santosh;  Robert M. Wallace 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/02/27 high-mobility device  high-κ/III-V interface  interfacial gap states  first-principle calculations