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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：高能物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Evolution of defects in silicon carbide implanted with helium ions 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2014, 卷号: 326, 页码: 345-350 作者:  Zhang, CH;  Song, Y;  Yang, YT;  Zhou, CL;  Wei, L 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/04/08 Silicon carbide  Helium  Implantation  Defect  Radiation damage