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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：上海应用物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Anomalous oxidation and its effect on electrical transport originating from surface chemical instability in large-area, few-layer 1T '-MoTe2 films 期刊论文 NANOSCALE, 2018, 卷号: 10, 期号: 42, 页码: 19906-19915 作者:  Yang, L;  Wu, H;  Zhang, WF;  Chen, ZH;  Li, J 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/17 TRANSITION-METAL DICHALCOGENIDES  VAPOR-DEPOSITION GROWTH  MOTE2  TRANSISTORS  MAGNETORESISTANCE  STABILITY  EVOLUTION  DYNAMICS  DEFECTS  WTE2