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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：武汉物理与数学研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of ion implantation on the structure of nano-Si3N4 期刊论文 JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2001, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 369-372 作者:  Tu, XH;  Li, DH;  Zhao, HZ;  Zhan, MS 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2015/12/03 quantum confinement  unstability of photoluminescence  ion implantation  nano-Si3N4   Chemical shifts of Na-23 in NaCl crystal specimens implanted with xenon ions 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 1999, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 563-564 作者:  Liang, JC;  Xu, Z;  Le, XY;  Zhao, WJ;  Yu, FC 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/12/01