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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 0.18μm NMOSFETS的衬底偏压增强电子注入的电荷泵技术(英文) 期刊论文 功能材料与器件学报, 2008, 期号: 03 王庆学 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/01/06 HEMT  terahertz  导纳  响应率   Effect of magnetic field on the terahertz radiation detection in high electron mobility transistors 期刊论文 CHINESE PHYSICS, 2006, 卷号: 15, 期号: 11, 页码: 2657-2660 Ma, MR; Chen, YL; Wang, C 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 RESONANT DETECTION  TIME MECHANISMS  QUANTUM-WELLS  PLASMA-WAVES  SUBTERAHERTZ  OSCILLATORS  FLUID   Germanium movement mechanism in SiGe-on-insulator fabricated by modified Ge condensation 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2005, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 64504-64504 Di, ZF; Chu, PK; Zhang, M; Liu, WL; Song, ZT; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/03/24 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  STRAINED-SI  MOBILITY ENHANCEMENT  OXIDATION  ELECTRON   Relaxed SiGe-on-insulator fabricated by dry oxidation of sandwiched Si/SiGe/Si structure 期刊论文 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 124, 页码: 153-157 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Zhu, M; Lin, CL; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 ELECTRON-MOBILITY ENHANCEMENT  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  STRAINED-SI  LAYER TRANSFER  N-MOSFETS  GERMANIUM  STABILITY  SUBSTRATE  EPITAXY  ALLOYS   GSMBE grown In0.49Ga0.51P/(In)GaAs/GaAs high hole mobility transistor structures 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 201, 页码: 744-748 Chen, JX; Li, AZ; Yang, QK; Lin, C; Ren, YC; Jin, SR; Qi, M; Xu, HG; Chen, XJ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/25 HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS   Novel In0.49Ga0.52P/(In)GaAs/GaAs p-type modulation doped heterostructure grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 193, 期号: 1-2, 页码: 28-32 Chen, JX; Li, AZ; Yang, QK; Lin, C; Ren, YC; Jin, SR; Li, CC; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/03/25 HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS  MOBILITY