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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Physical understanding of different drain-induced-barrier-lowering variations in high-k/metal gate n-channel metal-oxide-semiconductor-fieldeffect- 期刊论文 Applied physics letters, 2013 作者:  Yang WH(杨文红);  Luo WC(罗维春);  Wang WW(王文武) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2014/10/30