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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：光电技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The Properties of Zn-Doped AlSb Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition 期刊论文 COATINGS, 2019, 卷号: 9, 期号: 2 作者:  Tang, Ping;  Wang, Weimin;  Li, Bing;  Feng, Lianghuan;  Zeng, Guanggen 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2021/05/06 AlSb:Zn films  decreased band gap  deliquescence  PN junction   Optical and photo-carrier characterization of ultra-shallow junctions in silicon 期刊论文 SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2013, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 1294-1300 作者:  Huang QiuPing;  Li BinCheng;  Ren ShengDong 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/04/17 photocarrier radiometry  spectroscopic ellipsometry  photoluminescence  ultra-shallow junctions  silicon   Thermal annealing induced photocarrier radiometry enhancement for ion implanted silicon wafers 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2010, 卷号: 19, 期号: 9 作者:  Liu Xian-Ming;  Li Bin-Cheng;  Huang Qiu-Ping 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2015/09/21 photocarrier radiometry  ion implantation  thermal annealing  silicon