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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of carrier transfer process between two kinds of localized potential traps on the spectral properties of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 OPTICS EXPRESS, 2018 作者:  Zhao, Degang;  Jiang, Desheng;  Shi, Dongping;  Zhu, Jianjun;  Liu, Zongshun 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/03/27 Observation of negative differential resistance in GaN-based multiple-quantum-well light-emitting diodes 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/11 Photoconductive probing of the trap distribution in switchable interfaces 期刊论文 NANOSCALE, 2016, 卷号: 8, 期号: 2 作者:  Tian, Y;  Zhang, JM;  Guo, CF;  Zhang, BS(张宝顺);  Liu, Q 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11 Compatibility of AlN/SiNx Passivation With LPCVD-SiNx Gate Dielectric in GaN-Based MIS-HEMT 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: 3 作者:  Hua, MY;  Lu, YY;  Liu, SH;  Liu, C;  Fu, K(付凯) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11 Electrical performance of multilayer MoS2 transistors on high-kappa Al2O3 coated Si substrates 期刊论文 AIP ADVANCES, 2015, 卷号: 5, 期号: 5, 页码: 7 作者:  Li, T(李涛);  Wan, BS;  Du, G(杜刚);  Zhang, BS(张宝顺);  Zeng, ZM（曾中明） 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/12/31 Time delay in InGaN multiple quantum well laser diodes at room temperature 期刊论文 Chinese Physics B, 2010, 卷号: 19, 期号: 12 作者:  Jin LA(季莲);  Yang H (杨辉);  Zhang ZM (张书明) 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2011/03/13 InGaN  laser diode  delay effect  saturable absorber  traps