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Influence of residual carbon impurities in i-GaN layer on the performance of GaN-based p-i-n photodetectors 期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1
作者:  Li, XJ;  Zhao, DG;  Jiang, D;  Chen, P;  Zhu, JJ
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Design and performance of high temperature operating resonant-cavity photodiodes based on 795 nm-VCSEL structure 期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2016, 卷号: 213, 期号: 12, 页码: 3136-3141
作者:  Zhao, Yongming(赵勇明);  Sun, Yurun(孙玉润);  He, Yang(何洋);  Yu, Shuzhen(于淑珍);  Dong, Jianrong(董建荣)
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Room Temperature Broadband Infrared Carbon Nanotube Photodetector with High Detectivity and Stability 期刊论文
ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2016, 卷号: 4, 期号: 2
作者:  Liu, Y;  Wei, N;  Zeng, QS;  Han, J;  Huang, HX
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/11
Solvent-induced self-assembly synthesis of ultralong single crystalline organic NiOEP nanowires with high photoconductivity 期刊论文
RSC ADVANCES, 2015, 卷号: 5, 期号: 91, 页码: 5
作者:  Wang, JY(王娟叶);  Peng, HD(彭红丹);  Yang, JM;  Yan, JH;  Pan, GB（潘革波）
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Performance comparison of front- and back-illuminated modes of the AlGaN-based p-i-n solar-blind ultraviolet photodetectors 期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2014, 卷号: 32, 期号: 3
作者:  Yang H(杨辉);  Zhang BS(张宝顺);  Yang, J
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Influences of polarization effect and p-region doping concentration on the photocurrent response of solar-blind p-i-n avalanche photodiodes 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23, 期号: 2
作者:  Zhang, BS (张宝顺);  Zhang, SM (张书明)
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2015/02/03
One-step fabrication of ultralong nanobelts of PI-PTCDI and their optoelectronic properties 期刊论文
PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2014, 卷号: 16, 期号: 46, 页码: 25251-25254
作者:  Wang, FX (王凤霞);  Pan, GB (潘革波)
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/02/03
Distribution of electric field and design of devices in GaN avalanche photodiodes 期刊论文
Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2012, 卷号: 55, 期号: 4, 页码: 619-624
作者:  Baoshun Zhang (张宝顺);  ShuMing Zhang;  Hui Yang (杨辉)
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/01/22
InGaN/GaN p-i-n Photodiodes Fabricated with Mg-Doped p-InGaN Layer 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 26, 期号: 10
作者:  Yang H(杨辉);  Zhang SM
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/01/15
Anisotropic optical response of InAs/InP quantum dot avalanche photodiodes 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 5
作者:  Dong JR(董建荣)
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/01/15

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