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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Stress evolution in AlN and GaN grown on Si(111): experiments and theoretical modeling 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2016, 卷号: 27, 期号: 2 作者:  Dai, YQ;  Li, SM;  Gao, HW;  Wang, WH;  Sun, Q(孙钱) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11 Tunable terahertz plasmon in grating-gate coupled graphene with a resonant cavity 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 4 作者:  Yan, B（闫博）;  Yang, XX（杨昕昕）;  Fang, JY;  Huang, YD（黄永丹）;  Qin, H（秦华） 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2015/12/31 finite-difference-time-domain simulation  graphene  plasmon  terahertz   Modeling a radio-frequency single-electron-transistor scanning probe 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 53, 期号: 8 作者:  Qin H(秦华);  Li XX(李欣幸);  Sun JD(孙建东) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/12/02 QUANTUM-DOT  NOISE  LIMIT  MICROSCOPY   Theoretical Study about the formation of the stacking faults in GaN nanowires along different growth directions 会议论文 International Conference on Computational Materials Science, Guangzhou, PEOPLES R CHINA, APR 17-18, 2011 作者:  Zhang, JP (张锦平);  Yang, H (杨辉);  Xu, K (徐科);  Gong, XJ (弓晓晶);  Gong, XJ (弓晓晶) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/08/24 Gallium nitride nanowire  stacking faults  molecular dynamics simulations