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苏州纳米技术与纳米仿... [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2015 [1]
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16.8 A/600 V AlGaN/GaN MIS-HEMTs employing LPCVD-Si3N4 as gate insulator
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2015, 卷号: 51, 期号: 15, 页码: 2
作者:
Zhang, ZL(张志利)
;
Yu, GH(于国浩)
;
Zhang, XD(于国浩)
;
Tan, SX
;
Wu, DD(吴冬东)
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提交时间:2015/12/31
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