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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：理论物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The effect of stoichiometric disturbance on activation of MeV Si implantation in GaAs 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1999, 卷号: 152, 期号: 40942, 页码: 307-313 作者:  Zhang, YW;  Ding, EJ;  Zhang, TH;  Zhang, YW , Lund Inst Technol, Dept Phys Nucl, Box 118, S-22100 Lund, Sweden. 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/08/29 Raman-spectroscopy  Ion-implantation  Inp  Damage