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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：计算技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Long-term behavior of vacancy defects in Pu-Ga alloy: Effects of temperature and Ga concentration 期刊论文 COMPUTATIONAL AND THEORETICAL CHEMISTRY, 2021, 卷号: 1204, 页码: 10 作者:  Xu, Lei;  Wang, Li-Fang;  Chen, Xin;  Gao, Xing-Yu;  Shang, Hong-Hui 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2021/12/01 Vacancy defects  Dynamical evolution  Pu-Ga alloy  Actinide metals  Atomistic kinetic Monte Carlo  Molecular dynamics   Hydrogen evolution reaction on in-plane platinum and palladium dichalcogenides via single-atom doping 期刊论文 INTERNATIONAL JOURNAL OF HYDROGEN ENERGY, 2021, 卷号: 46, 期号: 35, 页码: 18294-18304 作者:  Liu, Gang;  Li, Jingjing;  Dong, Chao;  Wu, Liyuan;  Liang, Dan 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2021/12/01 Density functional theory  Platinum and palladium dichalcogenides  Single-atom doping  Hydrogen evolution reaction   Investigation of native defects and impurities in X-N (X = Al, Ga, In) 期刊论文 COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2021, 卷号: 188, 页码: 9 作者:  Chen, Yingjie;  Wu, Liyuan;  Liang, Dan;  Lu, Pengfei;  Wang, Jianjun 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2021/12/01 Group III nitrides  First-principles  Bulk modulus  Defect levels  Formation energies