QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：力学研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth of GaSb and GaInAsSb layers for thermophotovoltaic cells by liquid phase epitaxy 会议论文 Solid State Lighting and Solar Energy Technologies, Beijing, China, November 12, 2007 - November 14, 2007 作者:  Liu L;  Chen NF(陈诺夫);  Gao FB;  Yin ZQ;  Cui M 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/06/01 GaInAsSb  GaSb  LPE  Segregation coefficient  Thermophotovoltaic cell   Structural, Electrical, And Optical Properties Of Inasxsb1-X Epitaxial Films Grown By Liquid-Phase Epitaxy 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2008 作者:  Gao FB;  Chen NF(陈诺夫);  Zhang XW;  Wang Y;  Liu L(刘蕾) 收藏  |  浏览/下载：765/63  |  提交时间：2009/08/03 Molecular-Beam Epitaxy   InAs0.3Sb0.7 films grown on (100) GaSb substrates with a buffer layer by liquid-phase epitaxy 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: 304, 期号: 2, 页码: 472-475 作者:  Gao FB;  Chen NF(陈诺夫);  Liu L;  Zhang XW;  Wu JL 收藏  |  浏览/下载：975/26  |  提交时间：2009/08/03 Crystal Structure  Liquid-Phase Epitaxy  Semiconducting Iii-V Materials  Molecular-Beam Epitaxy  Transport-Properties  Inas1-Xsbx  Alloys  Inassb  Insb  Gap  Photoluminescence  Inasxsb1-X/Gaas  Superlattices   Liquid-Phase-Epitaxy-Grown Inasxsb1-X/Gaas for Room-Temperature 8-12 Mu M Infrared Detectors 期刊论文 Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 68, 期号: 24, 页码: 242108 作者:  Peng CT;  Chen NF(陈诺夫);  Gao FB 收藏  |  浏览/下载：1902/235  |  提交时间：2007/06/15 Magnetron Sputtering Growth of InAs0.3Sb0.7 Films on (100) GaAs Substrates: Strong Effect of Growth Conditions on Film Structure 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2005, 卷号: 285, 期号: 4, 页码: 459-465 作者:  Peng CT;  Chen NF(陈诺夫);  Wu JL;  Yin ZG;  Yu YD 收藏  |  浏览/下载：837/103  |  提交时间：2007/06/15