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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The Statistics of Set Time of Oxide-based Resistive Switching Memory 会议论文 作者:  Zhang MY(张美芸);  Wang GM(王国明);  Yu ZA(余兆安);  Li Y(李阳);  Xu DL(许定林) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/05/19 Compact Analytical Models for the SET and RESET Switching Statistics of RRAM Inspired in the Cell-Based Percolation Model of Gate Dielectric Breakdown 会议论文 作者:  Long SB(龙世兵);  Huo ZL(霍宗亮);  Liu M(刘明) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2014/10/22 Compact Analytical Models for the SET and RESET Switching Statistics of RRAM Inspired in the Cell-Based Percolation Model 会议论文 作者:  Liu M(刘明);  Long SB(龙世兵) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2014/10/22