QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 张兴旺; 张曙光; 尹志岗; 董敬敬; 高红丽; 施辉东 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/09/09 微电极阵列与微流通道集成的传感器结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010256838.9, 公开日期: 2011-08-30 王春霞; 阚强; 陈弘达 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2011/08/30 一种量子级联正多边形微腔激光器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081990.5, 公开日期: 2011-08-30 作者:  杨跃德 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2011/08/30 增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 尹志岗; 张曙光; 张兴旺; 董敬敬; 高红丽; 施辉东 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2012/09/09