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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：长春光学精密机械与物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhancing thermal properties of few-layer boron nitride by high-k Al2O3 capping layer 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 797, 页码: 262-268 作者:  Y.X.Chen;  K.L.Li;  Z.W.Li;  S.Q.Hu;  X.J.Sun 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/08/24 Boron nitride,Thermal conductivity,Raman spectroscopy,graphene,conductivity,deposition,nanosheets   High-order harmonics generation under quasi-phase matched conditions in silver, boron, and silver sulfide plasmas of different configurations 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2019, 卷号: 125, 期号: 15, 页码: 6 作者:  R.A.Ganeev;  G.S.Boltaev;  V.V.Kim;  P.V.Redkin;  C.L.Guo 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/08/24 Physics   Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles 期刊论文 Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Z.M.Shi;  X.J.Sun;  Y.P.Jia;  X.K.Liu;  S.L.Zhang 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/08/24 van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics   Performance analysis of hardpoint positioning mechanism for 4 m SiC primary mirror 期刊论文 Hongwai yu Jiguang Gongcheng/Infrared and Laser Engineering, 2019, 卷号: 48, 期号: 4 作者:  M.Wei;  X.Wu;  Z.Gao;  R.Wang 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/08/24 Boron compounds,Finite element method,Mirrors,Silicon carbide,Silicon compounds,Stiffness