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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhanced charge storage characteristics of silicon nanocrystals fabricated by electron-beam coevaporation of Si and SiOx(x=1 or 2) 外文期刊 2009 作者:  Li, WL;  Jia, R;  Chen, C;  Wu, NJ;  Tamotsu, H 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26 Microcrystalline Silicon  Raman-spectra  Memory  Films   Buffer influence on AlSb/InAs/AlSb quantum wells 外文期刊 2007 作者:  Li, ZH;  Wang, WX;  Liu, LS;  Gao, HC;  Jiang, ZW 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 X-ray-diffraction  Inas  Alsb  Heterostructures  Relaxation  Densities  Devices   Edge-vew photodetector for optical interconnects 外文期刊 2007 作者:  Li, Z;  Shen, H;  Yang, C;  Li, B;  Wan, L 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26 System  Gaas  Acid   A short-channel SOI RF power LDMOS technology with TiSi2 salicide on dual sidewalls with cutoff frequency f(T) similar to 19.3 GHz 外文期刊 2006 作者:  Yang, R;  Li, JF;  Qian, H;  Lo, GQ;  Balasubramanian, N 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 Thin-film Soi  Device  Mosfet  Cmos  Silicon  Performance  Analog   Hole mobility enhancement of pMOSFETs with strain channel induced by ge pre-amorphization implantation for source/drain extension 外文期刊 2006 作者:  Xu, QX;  Duan, XF;  Qian, H;  Liu, HH;  Li, HO 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 Nanoscale strain analysis of strained-Si metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction 外文期刊 2006 作者:  Liu, HH;  Duan, XF;  Qi, XY;  Xu, QX;  Li, HO 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/26 Mobility Enhancement  Layer Superlattices  Elastic Relaxation  Specimens   SOI technology for radio-frequency integrated-circuit applications 外文期刊 2006 作者:  Yang, R;  Qian, H;  Li, JF;  Xu, QX;  Hai, CH 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Rf-cmos  Silicon  Ghz   Growth and characterization of 0.8-mu m gate length AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrates 外文期刊 2005 作者:  Wang, XL;  Wang, CM;  Hu, GX;  Wang, JX;  Ran, JX 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Field-effect Transistors  Surface Passivation