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Characterization of stress induced in SOS and Si/gamma-Al2O3/Si heteroepitaxial thin films by Raman spectroscopy 外文期刊
2005
作者:  Wang, QY;  Wang, J;  Wang, JH;  Liu, ZL;  Lin, LY
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New Ti-SALICIDE process using Sb and Ge preamorphization for sub-o.2 mu m CMOS technology 外文期刊
1998
作者:  Xu, QX;  Hu, CM
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