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| - 专利 专利号: JP1993019837B2, 申请日期: 1993-03-17, 公开日期: 1993-03-17 作者: ISHIDA JUJI; FUKADA HAYAMIZU; TANAKA HARUO; NAKADA NAOTARO 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| Manufacture of semiconductor laser 专利 专利号: JP1992287390A, 申请日期: 1992-10-12, 公开日期: 1992-10-12 作者: TADA KENTARO 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| Semiconductor crystal growing method 专利 专利号: JP1991218007A, 申请日期: 1991-09-25, 公开日期: 1991-09-25 作者: HORIE KAYOKO; OTSUKA TAKEO; AKIYAMA NAOKI 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Method of in situ photo induced evaporation enhancement of compound thin films during or after epitaxial growth 专利 专利号: US4962057, 申请日期: 1990-10-09, 公开日期: 1990-10-09 作者: EPLER, JOHN E.; TREAT, DAVID W.; PAOLI, THOMAS L. 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| Manufacture of semiconductor laser device 专利 专利号: JP1985224287A, 申请日期: 1985-11-08, 公开日期: 1985-11-08 作者: NISHIJIMA YOSHITO; FUKUDA HIROKAZU; SHINOHARA KOUJI; EBE KOUJI 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Manufacture of multiplex quantum well structure semiconductor laser 专利 专利号: JP1985092685A, 申请日期: 1985-05-24, 公开日期: 1985-05-24 作者: SUGIMOTO MITSUNORI; IDE YUUICHI; IWATA HIROSHI 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Forming method of n type region to p type gaas or gaalas group substrate 专利 专利号: JP1984168630A, 申请日期: 1984-09-22, 公开日期: 1984-09-22 作者: YAMAGUCHI TAKAO 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/12/31 |