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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：materials science     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Indirect-direct band gap transition in puckered arsenene through chemical doping of P, Sb and Bi: a computational study 期刊论文 MATERIALS TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 31, 页码: 1-3 作者:  Wang, Y.R.;  Zhang, Z.Y.;  Cao, H.N.;  Wang, Dan;  Wang, Y.H. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/01/13 Arsenene  indirect-direct band gap transition  chemical doping  two dimensional electronics