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科研机构
上海微系统与信息技术... [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2000 [1]
1999 [2]
学科主题
Physics, M... [3]
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学科主题:Physics, Multidisciplinary
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High current gain In0.49Ga0.51P/GaAs heterojunction bipolar transistors with double spacers grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2000, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 915-917
Chen, XJ
;
Chen, JX
;
Chen, YQ
;
Peng, P
;
Yang, QK
;
Li, AZ
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/24
CURRENT TRANSPORT
GAAS BASE
HBTS
RECOMBINATION
ALGAAS/GAAS
EMITTER
Experimental study of InP-based InAlAs/InGaAs quantum well infrared photodetectors operating at the 3-5 mu m wavelength region
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 1999, 卷号: 16, 期号: 10, 页码: 747-749
Zhang, YG(张永刚)
;
Li, AZ
;
Chen, JX
;
Yang, QK
;
Ren, YC
收藏
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浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2012/03/25
ABSORPTION
Investigation of hole mobility in GaInP/(In)GaAs/GaAs p-type modulation doped heterostructures
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 1999, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 50-52
Yang, QK
;
Li, AZ
;
Chen, JX
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/25
2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS
BAND
INTERFACE
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