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上海微系统与信息技术... [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2011 [2]
2004 [1]
学科主题
Applied [3]
Electrical... [2]
Engineerin... [2]
Materials ... [1]
Multidisci... [1]
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Total ionizing dose effects in elementary devices for 180-nm flash technologies
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2011, 卷号: 51, 期号: 8, 页码: 1295-1301
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao,H
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
收藏
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提交时间:2012/04/10
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD
Comparison of TID response in core, input/output and high voltage transistors for flash memory
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2011, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 1148-1151
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Ning,BX
;
Zou,SC
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2012/04/10
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD
A study of silicon oxynitride film prepared by ion beam assisted deposition
期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2004, 卷号: 58, 期号: 17-18, 页码: 2261-2265
Wang,YJ
;
Cheng,XL
;
Lin,ZL
;
Zhang,CS
;
Xiao,HB
;
Zhang,F
;
Zou,SC
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2012/03/24
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
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