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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102 作者:  Li MF 收藏  |  浏览/下载：105/7  |  提交时间：2011/07/05 molecular beam epitaxy  anti-phase domain  GaAs/Ge interface  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  JUNCTION SOLAR-CELLS  DOMAIN-FREE GROWTH  TEMPERATURE  QUALITY  FUTURE   GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 33, 页码: 335102 He JF; Wang HL; Shang XJ; Li MF; Zhu Y; Wang LJ; Yu Y; Ni HQ; Xu YQ; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/01/06 1.3 MU-M  STRAIN RELIEF  LASERS  SUBSTRATE  PHOTOLUMINESCENCE  DISLOCATIONS  OPERATION  RANGE   Effect of built-in electric field in photovoltaic InAs quantum dot embedded GaAs solar cell 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: 335-341 作者:  He JF;  Li MF 收藏  |  浏览/下载：40/1  |  提交时间：2011/07/05 INTERMEDIATE-BAND  TRANSITIONS   The effect of an electric field on the nonlinear response of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of optics, 2010, 卷号: 12, 期号: 5, 页码: art. no. 055203 Huang X (Huang X.); Zhang XH (Zhang X. H.); Zhu YG (Zhu Y. G.); Li T (Li T.); Han LF (Han L. F.); Shang XJ (Shang X. J.); Ni HQ (Ni H. Q.); Niu ZC (Niu Z. C.) 收藏  |  浏览/下载：77/6  |  提交时间：2010/08/17 InAs quantum dots  nonlinear refraction  reflection Z-scan  dc electric field effect  ELECTROOPTIC PROPERTIES  SATURABLE ABSORBER  OPTICAL-PROPERTIES  WELL STRUCTURES  SINGLE-BEAM  BAND-GAP  ELECTROABSORPTION  ABSORPTION  REFLECTION  DEPENDENCE   Temperature dependence of hole spin relaxation in ultrathin InAs monolayers 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 1597-1600 作者:  Zhang XH 收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2010/04/28 Ultrathin InAs monolayer  Hole spin relaxation  DP mechanism  SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS  WELLS  GAAS   The refractive nonlinearities of InAs/GaAs quantum dots above-bandgap energy 期刊论文 optics communications, 2010, 卷号: 283, 期号: 7, 页码: 1510-1513 作者:  Zhang XH 收藏  |  浏览/下载：145/2  |  提交时间：2010/04/22 InAs quantum dots  Nonlinear refraction  Reflection Z-scan  REFLECTION Z-SCAN  OPTICAL NONLINEARITIES  2-PHOTON ABSORPTION  SATURABLE ABSORBER  WELL STRUCTURES  SINGLE-BEAM  ELECTROABSORPTION  DISPERSION  SOLIDS  GAAS   Self-aligned current aperture in native oxidized AlInAs buried heterostructure InGaAsP/InP distributed feedback laser 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: 1492-1494 Wang ZJ; Chua SJ; Zhang ZY; Zhou F; Zhang JY; Wang XJ; Wang W; Zhu HL 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 1.3 mu m InGaAsP/InP strained layer multi-quantum-well complex-coupled distributed feedback laser 会议论文 semiconductor lasers iii, beijing, peoples r china, sep 16-18, 1998 Chen B; Wang W; Wang XJ; Zhang JY; Zhu HL; Zhou F 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/10/29 1.3 mu m  complex-coupled grating  DFB laser   PROTON-DEFINED STRIPE GEOMETRY INGAASP/INP DOUBLE HETEROSTRUCTURE LASERS 期刊论文 chinese physics, 1982, 卷号: 2, 期号: 4, 页码: 1061-1071 ZHU LD; ZHANG SL; WANG XJ; WANG L; GAO SF 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/15