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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2007 [1]
2002 [1]
1993 [1]
学科主题
半导体物理 [3]
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学科主题:半导体物理
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1-mm gate periphery AlGaN/AIN/GaN HEMTs on SiC with output power of 9.39 W at 8 GHz
期刊论文
solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432
Wang XL
;
Cheng TS
;
Ma ZY
;
Hu G
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Luo WJ
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提交时间:2010/03/29
AlGaN/GaN
Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xSbx/GaAs single quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 20, 页码: 3795-3797
Luo XD
;
Hu CY
;
Xu ZY
;
Luo HL
;
Wang YQ
;
Wang JN
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
BAND ALIGNMENT
GAAS
DOTS
LASERS
OPERATION
OFFSETS
CONTROLLING OF SCHOTTKY-BARRIER HEIGHTS FOR AU/N-GAAS AND TI/N-GAAS WITH HYDROGEN INTRODUCED AFTER METAL-DEPOSITION BY BIAS ANNEALING
期刊论文
applied physics letters, 1993, 卷号: 62, 期号: 21, 页码: 2719-2721
JIN SX
;
WANG HP
;
YUAN MH
;
SONG HZ
;
WANG H
;
MAO WL
;
QIN GG
;
REN ZY
;
LI BC
;
HU XW
;
SUN GS
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
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