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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Creation and suppression of point defects through a kick-out substitution process of Fe in InP 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 16, 页码: 2878-2879 Zhao YW; Dong HW; Chen YH; Zhang YH; Jiao JH; Zhao JQ; Lin LY; Fung S 收藏  |  浏览/下载：88/2  |  提交时间：2010/08/12 SEMIINSULATING INP  ZN DIFFUSION  COMPLEXES  PHOSPHIDE  MECHANISM  CRYSTALS   Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2002, 卷号: 41, 期号: 4a, 页码: 1929-1931 Zhao YW; Dong HW; Jiao JH; Zhao JQ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：96/7  |  提交时间：2010/08/12 indium phosphide  annealing  semi-insulating  defect  diffusion  ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP  SEMIINSULATING INP  PHOTO-LUMINESCENCE  INDIUM-PHOSPHIDE  UNDOPED INP  PHOTOLUMINESCENCE  CRYSTALS  PRESSURE   Deep levels in semi-insulating InP obtained by annealing under iron phosphide ambiance 期刊论文 journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 4, 页码: 1968-1970 Dong HW; Zhao YW; Zhang YH; Jiao JH; Zhao JQ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：63/15  |  提交时间：2010/08/12 FE-DOPED INP  SEMIINSULATING INP  UNDOPED INP  SPECTROSCOPY  WAFER  UNIFORMITY  PRESSURE  TRAPS