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科研机构
半导体研究所 [6]
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期刊论文 [6]
发表日期
2015 [1]
2013 [1]
2010 [3]
2006 [1]
学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
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Mid-infrared Photoconductive Response in AlGaN/GaN Step Quantum Wells
期刊论文
scientific reports, 2015, 卷号: 5, 页码: 14386
X. Rong
;
X. Q. Wang
;
G. Chen
;
X. T. Zheng
;
P. Wang
;
F. J. Xu
;
Z. X. Qin
;
N. Tang
;
Y. H. Chen
;
L. W. Sang
;
M. Sumiya
;
W. K. Ge
;
B. Shen
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2016/03/18
Effect of polarization on intersubband transition in AlGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 19, 页码: 192109 - 192109-5
G. Chen, Z. L. Li, X. Q. Wang, C. C. Huang, X. Rong, L. W. Sang, F. J. Xu, N. Tang, Z. X. Qin, M. Sumiya, Y. H. Chen, W. K. Ge, B. Shen
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2014/02/12
Microphotoluminescence investigation of InAs quantum dot active region in 1.3 mu m vertical cavity surface emitting laser structure
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073111
Ding Y (Ding Y.)
;
Fan WJ (Fan W. J.)
;
Ma BS (Ma B. S.)
;
Xu DW (Xu D. W.)
;
Yoon SF (Yoon S. F.)
;
Liang S (Liang S.)
;
Zhao LJ (Zhao L. J.)
;
Wasiak M (Wasiak M.)
;
Czyszanowski T (Czyszanowski T.)
;
Nakwaski W (Nakwaski W.)
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/11/14
VAPOR-PHASE EPITAXY
PHOTOVOLTAGE SPECTROSCOPY
PHOTOLUMINESCENCE
MODES
Measurement of w-InN/h-BN Heterojunction Band Offsets by X-Ray Photoemission Spectroscopy
期刊论文
nanoscale research letters, 2010, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 1340-1343
Liu JM (Liu J. M.)
;
Liu XL (Liu X. L.)
;
Xu XQ (Xu X. Q.)
;
Wang J (Wang J.)
;
Li CM (Li C. M.)
;
Wei HY (Wei H. Y.)
;
Yang SY (Yang S. Y.)
;
Zhu QS (Zhu Q. S.)
;
Fan YM (Fan Y. M.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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浏览/下载:146/21
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提交时间:2010/08/17
Valence band offset
w-InN/h-BN heterojunction
X-ray photoelectron spectroscopy
Conduction band offset
Valence band offset
NEGATIVE ELECTRON-AFFINITY
INDIUM NITRIDE
WURTZITE GAN
SURFACE
FILM
ALN
TRANSPORT
EMISSION
NAXWO3
GROWTH
Strong circular photogalvanic effect in ZnO epitaxial films
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 4, 页码: art. no. 041907
Zhang Q (Zhang Q.)
;
Wang XQ (Wang X. Q.)
;
Yin CM (Yin C. M.)
;
Xu FJ (Xu F. J.)
;
Tang N (Tang N.)
;
Shen B (Shen B.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Chang K (Chang K.)
;
Ge WK (Ge W. K.)
;
Ishitani Y (Ishitani Y.)
;
Yoshikawa A (Yoshikawa A.)
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浏览/下载:277/88
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提交时间:2010/09/07
II-VI semiconductors
photoconductivity
photovoltaic effects
semiconductor epitaxial layers
spin-orbit interactions
valence bands
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 31-35
Zhao C (Zhao C.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Zhao M (Zhao Man)
;
Zhang CL (Zhang C. L.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Yu LK (Yu L. K.)
;
Sun J (Sun J.)
;
Lei W (Lei W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/04/11
Monte Carlo simulation
molecular beam epitaxy
kinetic effects
quantum dot
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