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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Anisotropically biaxial strain in non-polar (112-0) plane InxGa1-xN/GaN layers investigated by X-ray reciprocal space mapping 期刊论文 SCIENTIFIC REPORTS, 2017, 卷号: 7, 页码: 4497 作者:  Guijuan Zhao;  Huijie Li;  Lianshan Wang;  Yulin Meng;  Zesheng Ji 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2018/05/23 Performance enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by inserting the last quantum well into electron blocking layer 期刊论文 Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 110, 页码: 324-329 作者:  Fangzheng Li;  Lianshan Wang;  Guijuan Zhao;  Yulin Meng;  Huijie Li 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/05/23 Performance enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by inserting the last quantum well into electron blocking layer 期刊论文 Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 110, 页码: 324-329 作者:  Fangzheng Li;  Lianshan Wang;  Guijuan Zhao;  Yulin Meng;  Huijie Li 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/05/23 Growth and characterization of AlN epilayers using pulsed metal organic chemical vapor deposition 期刊论文 Chinese Physics B, 2017, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 078102 作者:  Zesheng Ji;  Lianshan Wang;  Guijuan Zhao;  Yulin Meng;  Fangzheng Li 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/05/23 The immiscibility of InAlN ternary alloy 期刊论文 scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 26600 Guijuan Zhao; Xiaoqing Xu; Huijie Li; Hongyuan Wei; Dongyue Han; Zesheng Ji; Yulin Meng; Lianshan Wang; Shaoyan Yang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/10