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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition 期刊论文 rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251 作者:  Li GK 收藏  |  浏览/下载：74/2  |  提交时间：2011/07/05 vanadium dioxide  infrared transition  diffraction effect  dual ion beam sputtering  annealing   Enhancement of the photoluminescence intensity of porous silicon by absorbed organic molecule 期刊论文 chinese science bulletin, 1998, 卷号: 43, 期号: 7, 页码: 616-616 Yin F; Li XP; Xiao XR; Zhang BW; Cao Y; Chen JR; Li GH; Han HX; Wang ZP 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/08/12 Photoluminescence of GaInP under high pressure 期刊论文 journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: 7177-7182 Dong JR; Li GH; Wang ZG; Lu DC; Liu XL; Li XB; Sun DZ; Kong MY; Wang ZJ 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/17 VAPOR-PHASE EPITAXY  HYDROSTATIC-PRESSURE  ORDERED GA0.5IN0.5P  GROWTH TEMPERATURE  DEPENDENCE  GAP  SPECTRUM  ENERGY   Ordering along <111> and <100> directions in GaInP demonstrated by photoluminescence under hydrostatic pressure 期刊论文 applied physics letters, 1996, 卷号: 68, 期号: 12, 页码: 1711-1713 Dong JR; Wang ZG; Lu DC; Liu XL; Li XB; Sun DZ; Wang ZJ; Kong MY; Li GH 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/17 VAPOR-PHASE EPITAXY  GA0.5IN0.5P  DEPENDENCE  SPECTRUM  ENERGY  GROWTH   METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION GROWTH OF GAN 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1995, 卷号: 29, 期号: 0, 页码: 58-60 LU DC; WANG D; WANG XH; LIU XL; DONG JR; GAO WB; LI CJ; LI YY 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/17 GALLIUM NITRIDE  EPITAXY OF THIN FILMS  MOCVD  CHEMICAL VAPOR DEPOSITION  BUFFER LAYER  SUBSTRATE  SAPPHIRE  EPITAXY  MOVPE