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科研机构
半导体研究所 [12]
内容类型
期刊论文 [10]
会议论文 [2]
发表日期
2014 [1]
2010 [1]
2006 [3]
2005 [4]
2004 [3]
学科主题
半导体材料 [12]
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学科主题:半导体材料
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Dark current mechanism of unpassivated mid wavelength type II InAs/GaSb superlattice infrared photodetector
期刊论文
chinese science bulletin, 2014, 卷号: 59, 期号: 28, 页码: 3696-3700
Li, Q
;
Ma, WQ
;
Zhang, YH
;
Cui, K
;
Huang, JL
;
Wei, Y
;
Liu, K
;
Cao, YL
;
Wang, WY
;
Liu, YL
;
Jin, P
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2015/03/20
Variation of Optical Quenching of Photoconductivity with Resistivity in Unintentional Doped GaN
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 057104
Hou QF (Hou Qi-Feng)
;
Wang XL (Wang Xiao-Liang)
;
Xiao
;
HL (Xiao Hong-Ling)
;
Wang CM (Wang Cui-Mei)
;
Yang CB (Yang Cui-Bai)
;
Li JM (Li Jin-Min)
收藏
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浏览/下载:255/64
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提交时间:2010/05/24
N-TYPE GAN
DEEP LEVELS
SELENIDE
DEFECTS
Selective growth of InAs islands on patterned GaAs (100) substrate
期刊论文
superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 446-453
作者:
Xu B
;
Jin P
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浏览/下载:92/0
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提交时间:2010/04/11
patterned substrate
molecular beam epitaxy
quantum dots
InAs
GaAs
InGaAs
ASSEMBLED QUANTUM DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
FABRICATION
Study of nucleation positions of InAs islands on stripe-patterned GaAs(100) substrate
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 31, 期号: 1, 页码: 43-47
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:80/0
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提交时间:2010/04/11
patterned substrate
GaAs
molecular beam epitaxy
nucleation positions
ASSEMBLED QUANTUM DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GE ISLANDS
GROWTH
SURFACE
ARRAYS
Nanocrystalline silicon films with high conductivity and the application for PIN solar cells
期刊论文
vacuum, 2006, 卷号: 81, 期号: 1, 页码: 126-128
Min C (Cui Min)
;
Zhang WJ (Zhang Weija)
;
Wang TM (Wang Tianmin)
;
Jin F (Jin Fei)
;
Li GH (Li Guohua)
;
Ding K (Ding Kun)
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/04/11
nc-Si : H
conductivity
PECVD
films
solar cells
A novel method for positioning of InAs islands on GaAs(110)
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 537-544
作者:
Xu B
;
Jin P
收藏
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浏览/下载:150/42
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提交时间:2010/03/17
InAs island
The structural and photoluminescence character of InAs quantum dots grown on a combined InAlAs and GaAs strained buffer
期刊论文
pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, 2005, 卷号: pts 1-5, 期号: 475-479, 页码: 1791-1794
Shi, GX
;
Xu, B
;
Jin, P
;
Ye, XL
;
Cui, CX
;
Zhang, CL
;
Wu, J
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/03/17
quantum dots
strain buffer layer
InAs
photoluminescence
WELL
LASER
LAYER
Cleaved-edge overgrowth of aligned InAs islands on GaAs(110)
期刊论文
nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 11, 页码: 2661-2664
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:131/28
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提交时间:2010/03/17
QUANTUM DOTS
Site controlling of InAs quantum wires on cleaved edges of AlGaAs/GaAs superlattices
期刊论文
nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 1379-1382
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:219/41
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提交时间:2010/03/17
DIFFUSION LENGTH
Thermal annealing effect on InAs/InGaAs quantum dots grown by atomic layer molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 269, 期号: 2-4, 页码: 181-186
作者:
Ye XL
;
Jin P
;
Xu B
;
Li CM
收藏
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浏览/下载:184/45
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提交时间:2010/03/09
photoluminescence
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