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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2017 [1]
2015 [1]
2014 [1]
2013 [3]
2012 [3]
学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
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Synthesis of highly fluorescent InP/ZnS small-core/thick-shell tetrahedral-shaped quantum dots for blue light-emitting diodes
期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2017, 卷号: 5, 页码: 8243--8249
作者:
Wei Shen
;
Haiyan Tang
;
Xiaolei Yang
;
Zengle Cao
;
Tai Cheng
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2018/06/01
Active metasurface terahertz deflector with phase discontinuities
期刊论文
opt. express, 2015, 卷号: 23, 期号: 21, 页码: 27152-27158
Xiaoqiang Su
;
Chunmei Ouyang
;
Ningning Xu
;
Wei Cao
;
Xin Wei
;
Guofeng Song
;
Jianqiang Gu
;
Zhen Tian
;
John F. O’Hara
;
Jiaguang Han
;
Weili Zhang
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2016/04/15
Dark current mechanism of unpassivated mid wavelength type II InAs/GaSb superlattice infrared photodetector
期刊论文
chinese science bulletin, 2014, 卷号: 59, 期号: 28, 页码: 3696-3700
Li, Q
;
Ma, WQ
;
Zhang, YH
;
Cui, K
;
Huang, JL
;
Wei, Y
;
Liu, K
;
Cao, YL
;
Wang, WY
;
Liu, YL
;
Jin, P
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2015/03/20
Electrical properties of the absorber layer for mid, long and very long wavelength detection using type-II InAs/GaSb superlattice structures grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
semiconductor science and technology, 2013, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 045004
Xiaolu Guo, Wenquan Ma, Jianliang Huang, Yanhua Zhang, Yang Wei, Kai Cui, Yulian Cao and Qiong Li
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2014/04/09
Electrical properties of the absorber layer for mid, long and very long wavelength detection using type-II InAs/GaSb superlattice structures grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
semiconductor science and technology, 2013, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 045004
Guo, Xiaolu
;
Ma, Wenquan
;
Huang, Jianliang
;
Zhang, Yanhua
;
Wei, Yang
;
Cui, Kai
;
Cao, Yulian
;
Li, Qiong
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2013/10/08
540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quantum Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier
期刊论文
ieee electron device letters, 2013, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 759-761
Cui, Kai
;
Ma, Wenquan
;
Zhang, Yanhua
;
Huang, Jianliang
;
Wei, Yang
;
Cao, Yulian
;
Guo, Xiaolu
;
Li, Qiong
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2013/08/27
Narrow-band long-/very-long wavelength two-color type-II InAs/GaSb superlattice photodetector by changing the bias polarity
期刊论文
zhang, yanhua1 ; ma, wenquan1 ; wei, yang1 ; cao, yulian1 ; huang, jianliang1 ; cui, kai1 ; guo, xiaolu1, 2012, 卷号: 100, 期号: 17, 页码: 173511
Zhang, Yanhua
;
Ma, Wenquan
;
Wei, Yang
;
Cao, Yulian
;
Huang, Jianliang
;
Cui, Kai
;
Guo, Xiaolu
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/04/19
Multilayered type-II GaSb/GaAs self-assembled quantum dot structure with 1.35 mu m light emission at room temperature
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2012, 卷号: 45, 页码: 173-176
Cui K (Cui, Kai)
;
Ma WQ (Ma, Wenquan)
;
Huang JL (Huang, Jianliang)
;
Wei Y (Wei, Yang)
;
Zhang YH (Zhang, Yanhua)
;
Cao YL (Cao, Yulian)
;
Gu YX (Gu, Yongxian)
;
Yang T (Yang, Tao)
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2013/04/02
High structural quality of type II InAs/GaSb superlattices for very long wavelength infrared detection by interface control
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 2012, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: 512-515
Wei, Yang
;
Ma, Wenquan
;
Zhang, Yanhua
;
Huang, Jianliang
;
Cao, Yulian
;
Cui, Kai
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/04/19
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