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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improvement of characteristics of InGaN-based laser diodes with undoped InGaN upper waveguide layer 期刊论文 journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 11, 页码: 113105 Chen P (Chen, P.); Feng MX (Feng, M. X.); Jiang DS (Jiang, D. S.); Zhao DG (Zhao, D. G.); Liu ZS (Liu, Z. S.); Li L (Li, L.); Wu LL (Wu, L. L.); Le LC (Le, L. C.); Zhu JJ (Zhu, J. J.); Wang H (Wang, H.); Zhang SM (Zhang, S. M.); Yang H (Yang, H.) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/03/26