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科研机构
上海微系统与信息技术... [8]
上海硅酸盐研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2018 [1]
2008 [2]
2005 [1]
2000 [3]
1999 [1]
1988 [1]
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学科主题
Physics, M... [9]
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学科主题:Physics, Multidisciplinary
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85
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Progresses of magnetoelectric composite films based on PbMg1/3Nb2/3O3-PbTiO3 single-crystal substrates
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2018, 卷号: 67, 期号: 15
作者:
Xu Meng
;
Yan Jian-Min
;
Xu Zhi-Xue
;
Guo Lei
;
Zheng Ren-Kui
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2018/12/28
magnetoelectric composite films
multiferroics
lattice strain effect
interfacial charge effect
High current multi-finger InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with the maximum oscillation frequency 253 GHz
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3075-3078
Jin, Z
;
Su, YB
;
Cheng, W
;
Liu, XY
;
Xu, AH
;
Qi, M
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浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2012/03/24
High-breakdown-voltage submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(t)=170 GHz and f(max)=253GHz
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2686-2689
Jin, Z
;
Su, YB
;
Cheng, W
;
Liu, XY
;
Xu, AH
;
Qi, M
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
AMPLIFIER
BASE
InGaAs/InP heterostructural materials for opto-electronic integrated circuit receiver application grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2005, 卷号: 46, 页码: S229-S232
Chen, XJ
;
Xu, AH
;
Ai, LK
;
Qi, M
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/24
HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS
HBTS
High current gain In0.49Ga0.51P/GaAs heterojunction bipolar transistors with double spacers grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2000, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 915-917
Chen, XJ
;
Chen, JX
;
Chen, YQ
;
Peng, P
;
Yang, QK
;
Li, AZ
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/24
CURRENT TRANSPORT
GAAS BASE
HBTS
RECOMBINATION
ALGAAS/GAAS
EMITTER
Proton implant isolation of AlGaInP/GaAs heterojunction bipolar transistor structures in fabrication
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2000, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 375-378
Cheng, ZQ
;
Sun, XW
;
Xia, GQ
;
Li, HQ
;
Sheng, HM
;
Qian, R
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2011/12/17
Carrier transport properties of the (n)nc-Si : H/(p)c-Si heterojunction
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2000, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 2466-2471
Peng, YC
;
Xu, GY
;
He, YL
;
Liu, M
;
Li, YX
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/03/24
CRYSTALLINE
Influence of deep levels on the performance of AlGaInP/GaAs heterojunction bipolar transistor
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 1999, 卷号: 48, 期号: 3, 页码: 556-560
Zhang, XH
;
Hu, YS
;
Wu, J
;
Cheng, ZQ
;
Xia, GQ
;
Xu, YS
;
Chen, ZH
;
Gui, YS
;
Chu, JH
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/25
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
LIGHT-EMITTING-DIODES
SPACE-CHARGE-REGION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE-EPITAXY
INGAALP ALLOYS
LASER-DIODES
RECOMBINATION
EFFICIENCY
PHOTOLUMINESCENCE
THE EFFECT OF PARALLEL CONDUCTANCE IN A ALGAAS/GAAS HETEROJUNCTION
期刊论文
CHINESE PHYSICS, 1988, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: 42-46
SHI, CX
;
XIN, SH
;
WU, DF
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/25
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