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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Applied     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Dissolution equilibrium of Bi vapor and activities of Bi in liquid Ni-Cr-Fe-Nb solutions 期刊论文 VACUUM, 2018, 卷号: 156, 页码: 271-276 作者:  Li, XL;  Yang, YQ;  Chen, B;  Xing, WW;  Li, X 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/12/25 Ni-Cr-Fe-Nb alloys  Partial vapor pressure of Bi  Activities  Activity coeffcients  Standard free energy of reaction Delta G(0)   Characteristics of HfxSiyO films grown on Si0.8Ge0.2 layer by electron-beam evaporation 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 88, 期号: 12, 页码: 122906-122906 Cheng, XH; Song, ZR; Yu, YY; Yang, WW; Shen, DS 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 GATE DIELECTRICS  HFO2  OXIDATION  SILICON   Electron field emission from SiC/Si heterostructures by high temperature carbon implantation into silicon 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 84, 期号: 26, 页码: 5461-5463 Xing, YM; Zhang, JH; Yang, WW; Yu, YH; Song, ZR; Lin, ZX; Shen, DS 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 DIAMOND-LIKE CARBON  ENHANCEMENT  ARRAYS  LAYERS  FILMS   Stress current calculation of stacked dielectrics in time dependent dielectric breakdown 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2003, 卷号: 94, 期号: 6, 页码: 4032-4035 Yang, WW; Cheng, XH; Xing, YM; Li, WJ; Yu, YH 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 TUNNELING CURRENTS  OXIDE THICKNESS  LEAKAGE CURRENT  MOS CAPACITORS  MODEL  INTERFACES  SIO2