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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301 Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：193/43  |  提交时间：2010/03/08 CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  AL-CONTENT  ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES  HEMT STRUCTURES  PHASE EPITAXY  SAPPHIRE  GAS  DENSITIES   The growth of high-Al-content InAlGaN quaternary alloys by RF-MBE 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 765-768 Wang BZ; Wang XL; Wang XY; Guo LC; Wang XH; Xiao HL; Liu HX 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/03/29 LIGHT-EMITTING-DIODES   Synthesis of composite AIN powder mixed with sintering additives by the Lanxide method 期刊论文 journal of inorganic materials, 2003, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 1351-1356 Lin ZL; Zheng XH; Wang Q; Zhou ML 收藏  |  浏览/下载：47/20  |  提交时间：2010/03/09 AlN powder   Molecular beam epitaxy growth of Iny2Al1-y2As/In0.73Ga0.27As/Iny1Al1-y1As/InP P-HEMTs with enhancement conductivity using an intentional nonlattice-matched buffer layer 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 1997, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 2021-2025 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 HETEROSTRUCTURES