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半导体研究所 [11]
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学位论文 [1]
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半导体物理 [11]
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学科主题:半导体物理
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Design and Analysis of 2-µm InGaSb/GaSb Quantum Well Lasers Integrated onto Silicon-on-Insulator (SOI) Waveguide Circuits through an Al2O3 Bonding Layer
期刊论文
ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2016, 卷号: 22, 期号: 6
Xiang Li
;
Hong Wang
;
Zhongliang Qiao
;
Yu Zhang
;
Zhichuan Niu
;
Cunzhu Tong
;
Chongyang Liu
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2017/03/16
Polarization-induced remote interfacial charge scattering in Al2O3/AlGaN/GaN double heterojunction high electron mobility transistors
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 13, 页码: 132105
Ji, D
;
Liu, B
;
Lu, YW
;
Liu, GP
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/03/20
Multilayer Antireflection Coating for Triple Junction Solar Cells
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.47802
作者:
He JF
;
Zhan F
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浏览/下载:61/3
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提交时间:2011/07/05
Fe/Al2O3/(GaAs/AlAs)多量子阱结构中的自旋滤波现象研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
李韫慧
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浏览/下载:124/0
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提交时间:2010/10/11
Analytical model of spin filtering effect and its experimental verification in a forward-biased iron-metal-Al2O3-n-type GaAs tunneling structure under optical spin orientation
期刊论文
epl, 2008, 卷号: 82, 期号: 3, 页码: art. no. 37003
Xiao, WB
;
Zheng, HZ
;
Liu, J
;
Li, GR
;
Zhao, JH
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/03/08
INJECTION
TRANSPORT
BARRIER
Interfaces in heterostructures of AlInGaN/GaN/Al2O3
期刊论文
superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 429-435
Zhou SQ
;
Wu MF
;
Yao SD
;
Liu JP
;
Yang H
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
nitride semiconductors
interface
Rutherford backscattering/channeling
transmission electron microscopy
x-ray diffraction
SUPER-LATTICES
STRAIN
GAN
Luminescence study of (11(2)over-bar0) GaN film grown by metalorganic chemical-vapor deposition
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: 316-319
作者:
Han PD
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
MG-DOPED GAN
GALLIUM NITRIDE
PHASE EPITAXY
SUBSTRATE
LAYER
Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon
期刊论文
international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4302-4305
Tan LW
;
Wang J
;
Wang QY
;
Yu YH
;
Lin LY
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/08/12
EPITAXIAL-GROWTH
AL2O3
SI
Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 25, 页码: 3974-3976
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载:76/9
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SURFACE POLARITY
SINGLE-CRYSTALS
BUFFER LAYER
GROWN GAN
DEPOSITION
MORPHOLOGY
QUALITY
ZNO
Ab initio calculations for the neutral and charged O vacancy in sapphire
期刊论文
physical review b, 1997, 卷号: 56, 期号: 12, 页码: 7277-7284
Xu YN
;
Gu ZQ
;
Zhong XF
;
Ching WY
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/17
OPTICAL-ABSORPTION
CORUNDUM CRYSTALS
ALPHA-ALUMINA
F+ CENTER
ALPHA-AL2O3
AL2O3
DEFECTS
SIMULATION
DAMAGE
STATES
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