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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optimizing the GaAs capping layer growth of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dots by a combined two-temperature and annealing process at low temperatures 期刊论文 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5469-5472 作者:  Yang T 收藏  |  浏览/下载：252/54  |  提交时间：2010/03/08 Metalorganic chemical vapor deposition  Quantum dots  InAs  GaAs  Laser diodes   The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si 会议论文 10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998 Wang YS; Li JM; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 HETEROEPITAXIAL GROWTH  HYDROCARBON RADICALS  SI(001) SURFACE  BEAM   The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 564-567 Wang YS; Li JM; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 Si  SiC  carbonization  RHEED  single crystal epilayer  HYDROCARBON RADICALS  SI(001) SURFACE  BEAM  HETEROEPITAXIAL GROWTH   Photoluminescence of GaInP under high pressure 期刊论文 journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: 7177-7182 Dong JR; Li GH; Wang ZG; Lu DC; Liu XL; Li XB; Sun DZ; Kong MY; Wang ZJ 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/17 VAPOR-PHASE EPITAXY  HYDROSTATIC-PRESSURE  ORDERED GA0.5IN0.5P  GROWTH TEMPERATURE  DEPENDENCE  GAP  SPECTRUM  ENERGY