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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Anisotropic transport of two-dimensional electron gas modulated by embedded elongated GaSb/GaAs quantum dots 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 3, 页码: article no.32103 Li GD; Jiang C; Zhu QS; Sakaki H 收藏  |  浏览/下载：60/9  |  提交时间：2011/07/05 HETEROJUNCTION  MOBILITY  SCATTERING  PHYSICS  FIELD   Self-organized superlattices along the [001] growth direction in In0.52Al0.48As layers grown on nominally (001) InP substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 superlattices and microstructures, 2005, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 151-160 Wang YL; Chen YH; Wu J; Wang ZG; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：86/21  |  提交时间：2010/03/17 composition modulation   Structural anisotropy and optical properties of InxGa1-xAs quantum dots on GaAs(001) 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 1-2, 页码: 55-60 Lin F; Wu J; Jiang WH; Cui H; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：102/5  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  GROWTH  PHOTOLUMINESCENCE  SURFACES  ARRAYS  LASER   Defects and morphologies in In0.8Ga0.2As/InAlAs/InP(001) for high electron-mobility transistors 期刊论文 defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 147-152 Wu J; Lin F 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 In0.8Ga0.2As/InAlAs/InP  misfit dislocations  surface morphology  GROWTH  RELAXATION  SUBSTRATE  CIRCUITS   InAs/ln(0.52)Al(0.48)As quantum wire structure with the specific layer-ordering orientation on InP(001) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 197, 期号: 1-2, 页码: 95-98 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum wires  layer-order-orientation  CONFINEMENT  STRAIN