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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Determination of the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文 chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 3980-3984 Zhao JZ; Lin ZJ; Corrigan TD; Zhang Y; Lu YJ; Lu W; Wang ZG; Chen H 收藏  |  浏览/下载：95/25  |  提交时间：2010/03/08 relative permittivity  AlGaN barrier layer  AlGaN/GaN heterostructures   AIGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band 期刊论文 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 514-517 Yao Xiaojiang; Li Bin; Chen Yanhu; Chen Xiaojuan; Wei Ke; Li Chengzhan; Luo Weijun; WANG Xiaoliang; Liu Dan; Liu Guoguo; Liu Xinyu 收藏  |  浏览/下载：152/11  |  提交时间：2010/11/23 Nanodiamond formation by hot-filament chemical vapor deposition on carbon ions bombarded Si 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 85-89 Liao MY; Meng XM; Zhou XT; Hu JQ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：145/8  |  提交时间：2010/08/12 nucleation  chemical vapor deposition processes  diamond  nanomaterials  DIAMOND THIN-FILMS  AMORPHOUS-CARBON  PLASMAS  SYSTEM  FIELD